采用TrenchFET MOSFET技术，使C4开关导通时的电阻极低，能量损耗小。C4开关的切换速度比典型的功率FET开关略低，但比IGBT开关的速度要高的多；相对于IGBT开关的负温度系数，C4开关的正温度系数，有助于实现短路保护的设计；另外，过压暂态和反向电压电流方面，C4开关的危险性也小于IGBT开关，所以，C4开关非常适合于替代IGBT开关，即使在糟糕的环境下也能保证操作的安全性。
Catalog C4-低电阻型
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上一条：Catalog C6-IGBT型
采用TrenchFET MOSFET技术，使C4开关导通时的电阻极低，能量损耗小。C4开关的切换速度比典型的功率FET开关略低，但比IGBT开关的速度要高的多；相对于IGBT开关的负温度系数，C4开关的正温度系数，有助于实现短路保护的设计；另外，过压暂态和反向电压电流方面，C4开关的危险性也小于IGBT开关，所以，C4开关非常适合于替代IGBT开关，即使在糟糕的环境下也能保证操作的安全性。
